Биполярный транзистор 2N1170 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N1170
   Тип материала: Ge
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO5

Другие транзисторы... 2N1165A , 2N1166 , 2N1166A , 2N1167 , 2N1167A , 2N1168 , 2N1169 , 2N117 , TIP3055 , 2N1171 , 2N1172 , 2N1173 , 2N1174 , 2N1175 , 2N1175A , 2N1175B , 2N1176 .