Биполярный транзистор 2N1170 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N1170
   Тип материала: Ge
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам