RN1130MFV . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RN1130MFV
   Código: X2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 100 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 100 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT723 VESM

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RN1130MFV

BUY TRANSISTORS