Биполярный транзистор RN1130MFV
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RN1130MFV
Маркировка: X2
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
SOT723
VESM
Аналоги (замена) для RN1130MFV
RN1130MFV
Datasheet (PDF)
..1. Size:151K toshiba
rn1130mfv.pdf 
RN1130MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1130MFV Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications 1.20.05Interface Circuit Applications 0.80.05Driver Circuit Applications 1 With built-in bias resistors Simplify circuit design 2 3 Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2130MFV E
9.1. Size:160K toshiba
rn1131mfv rn1132mfv.pdf 
RN1131MFV,RN1132MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1131MFV,RN1132MFV Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications 1.20.05Interface Circuit Applications 0.80.05Driver Circuit Applications With built-in bias resistors 1 Simplify circuit design 2 3 Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complement
9.2. Size:152K nxp
pbrn113es pbrn113e pbrn113ek.pdf 
PBRN113E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 01 1 March 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236PBRN113ES
9.3. Size:147K nxp
pbrn113e.pdf 
PBRN113E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 01 1 March 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236PBRN113ES
9.4. Size:150K nxp
pbrn113z.pdf 
PBRN113Z seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 01 26 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN113ZK SOT346 SC-59A TO-236PBRN
9.5. Size:154K nxp
pbrn113zs pbrn113z pbrn113zk.pdf 
PBRN113Z seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 01 26 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN113ZK SOT346 SC-59A TO-236PBRN
Другие транзисторы... 2N3192
, 2N3193
, 2N3194
, 2N3195
, 2N3196
, 2N3197
, 2N3198
, 2N3199
, BC327
, 2N320
, 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
.
