RN1130MFV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1130MFV  📄📄 

Маркировка: X2

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT723 VESM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1130MFV

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1130MFV даташит

 ..1. Size:151K  toshiba
 rn1130mfv.pdf pdf_icon

RN1130MFV

RN1130MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1130MFV Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 1.2 0.05 Interface Circuit Applications 0.8 0.05 Driver Circuit Applications 1 With built-in bias resistors Simplify circuit design 2 3 Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2130MFV E

 9.1. Size:160K  toshiba
 rn1131mfv rn1132mfv.pdf pdf_icon

RN1130MFV

RN1131MFV,RN1132MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1131MFV,RN1132MFV Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 1.2 0.05 Interface Circuit Applications 0.8 0.05 Driver Circuit Applications With built-in bias resistors 1 Simplify circuit design 2 3 Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complement

 9.2. Size:152K  nxp
 pbrn113es pbrn113e pbrn113ek.pdf pdf_icon

RN1130MFV

PBRN113E series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 01 1 March 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236 PBRN113ES

 9.3. Size:147K  nxp
 pbrn113e.pdf pdf_icon

RN1130MFV

PBRN113E series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 01 1 March 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236 PBRN113ES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN1117F, RN1117MFV, RN1117, RN1118FT, RN1118F, RN1118MFV, RN1118, RN1119MFV, BC327, RN1131MFV, RN1132MFV, RN1301, RN1302, RN1303, RN1304, RN1305, RN1306