Справочник транзисторов. RN1130MFV

 

Биполярный транзистор RN1130MFV Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1130MFV
   Маркировка: X2
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT723 VESM
 

 Аналог (замена) для RN1130MFV

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1130MFV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  toshiba
 rn1130mfv.pdf pdf_icon

RN1130MFV

RN1130MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1130MFV Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications 1.20.05Interface Circuit Applications 0.80.05Driver Circuit Applications 1 With built-in bias resistors Simplify circuit design 2 3 Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2130MFV E

 9.1. Size:160K  toshiba
 rn1131mfv rn1132mfv.pdf pdf_icon

RN1130MFV

RN1131MFV,RN1132MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1131MFV,RN1132MFV Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications 1.20.05Interface Circuit Applications 0.80.05Driver Circuit Applications With built-in bias resistors 1 Simplify circuit design 2 3 Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complement

 9.2. Size:152K  nxp
 pbrn113es pbrn113e pbrn113ek.pdf pdf_icon

RN1130MFV

PBRN113E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 01 1 March 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236PBRN113ES

 9.3. Size:147K  nxp
 pbrn113e.pdf pdf_icon

RN1130MFV

PBRN113E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 01 1 March 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236PBRN113ES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: NB012FY | AUY32Z | TIX617 | BF469 | RN1706JE | 2SC3887 | PBSS5220PAPS

 

 
Back to Top

 


 
.