RN1130MFV - описание и поиск аналогов

 

RN1130MFV - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RN1130MFV
   Маркировка: X2
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT723 VESM

 Аналоги (замена) для RN1130MFV

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1130MFV - технические параметры

 ..1. Size:151K  toshiba
rn1130mfv.pdfpdf_icon

RN1130MFV

RN1130MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1130MFV Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 1.2 0.05 Interface Circuit Applications 0.8 0.05 Driver Circuit Applications 1 With built-in bias resistors Simplify circuit design 2 3 Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2130MFV E

 9.1. Size:160K  toshiba
rn1131mfv rn1132mfv.pdfpdf_icon

RN1130MFV

RN1131MFV,RN1132MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1131MFV,RN1132MFV Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 1.2 0.05 Interface Circuit Applications 0.8 0.05 Driver Circuit Applications With built-in bias resistors 1 Simplify circuit design 2 3 Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complement

 9.2. Size:152K  nxp
pbrn113es pbrn113e pbrn113ek.pdfpdf_icon

RN1130MFV

PBRN113E series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 01 1 March 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236 PBRN113ES

 9.3. Size:147K  nxp
pbrn113e.pdfpdf_icon

RN1130MFV

PBRN113E series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 01 1 March 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236 PBRN113ES

Другие транзисторы... RN1117F , RN1117MFV , RN1117 , RN1118FT , RN1118F , RN1118MFV , RN1118 , RN1119MFV , BC327 , RN1131MFV , RN1132MFV , RN1301 , RN1302 , RN1303 , RN1304 , RN1305 , RN1306 .

 

 
Back to Top

 


 
.