RN1325A Todos los transistores

 

RN1325A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RN1325A
   Código: QE
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 0.47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: SOT323 SC70 USM
 

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RN1325A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:191K  toshiba
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RN1325A

RN1321ARN1327A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1321A,RN1322A,RN1323A,RN1324A RN1325A,RN1326A,RN1327A Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications High current driving is possible. Since bias resisters are built in the transistor,the miniaturization of the apparatus by curtailment of the number of p

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History: CSA709 | PDTC144EU | PDTA143XM | 2SC3789 | BC190A | 2SC1815-MS | PMBT3904QA

 

 
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