RN1325A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RN1325A  📄📄 

Código: QE

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 0.47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 140

Encapsulados: SOT323 SC70 USM

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RN1325A datasheet

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RN1325A

RN1321A RN1327A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1321A,RN1322A,RN1323A,RN1324A RN1325A,RN1326A,RN1327A Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications High current driving is possible. Since bias resisters are built in the transistor,the miniaturization of the apparatus by curtailment of the number of p

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