RN1444 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RN1444
Código: CA_CB
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 25 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4.8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: SOT346 SC59 SMINI
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RN1444
RN1444 Datasheet (PDF)
9.1. Size:190K toshiba
rn1441-1444.pdf
rn1441-1444.pdf
RN1441RN1444 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1441,RN1442,RN1443,RN1444 Muting And Switching Applications Unit in mm High emitter-base voltage: VEBO = 25V (min) High reverse h : reverse h = 150 (typ.) (V = -2V, I = -4mA) FE FE CE C Low on resistance: R = 1 (typ.) (I = 5mA) ON B With built-in bias resistors Simplify circuit design
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
