RN1444 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RN1444

Código: CA_CB

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 25 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT346 SC59 SMINI

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RN1444 datasheet

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RN1444

RN1441 RN1444 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1441,RN1442,RN1443,RN1444 Muting And Switching Applications Unit in mm High emitter-base voltage VEBO = 25V (min) High reverse h reverse h = 150 (typ.) (V = -2V, I = -4mA) FE FE CE C Low on resistance R = 1 (typ.) (I = 5mA) ON B With built-in bias resistors Simplify circuit design

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