Биполярный транзистор RN1444 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RN1444
Маркировка: CA_CB
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT346 SC59 SMINI
RN1444 Datasheet (PDF)
9.1. Size:190K toshiba
rn1441-1444.pdf
rn1441-1444.pdf
RN1441RN1444 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1441,RN1442,RN1443,RN1444 Muting And Switching Applications Unit in mm High emitter-base voltage: VEBO = 25V (min) High reverse h : reverse h = 150 (typ.) (V = -2V, I = -4mA) FE FE CE C Low on resistance: R = 1 (typ.) (I = 5mA) ON B With built-in bias resistors Simplify circuit design
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
