RN1502 Todos los transistores

 

RN1502 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RN1502
   Código: XB
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: SOT25 SC74A SMV
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RN1502 Datasheet (PDF)

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RN1502

RN1501RN1506 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1501,RN1502,RN1503 RN1504,RN1505,RN1506 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads)With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process

 9.2. Size:134K  toshiba
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RN1502

RN1507RN1509 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1507,RN1508,RN1509 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads)With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to

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