RN1511 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RN1511
Código: XM
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: SOT25 SC74A SMV
Búsqueda de reemplazo de RN1511
RN1511 Datasheet (PDF)
rn1510 rn1511.pdf

RN1510,RN1511 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1510,RN1511 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN25
Otros transistores... RN1503 , RN1504 , RN1505 , RN1506 , RN1507 , RN1508 , RN1509 , RN1510 , C945 , RN1544 , RN1601 , RN1602 , RN1603 , RN1604 , RN1605 , RN1606 , RN1607 .
History: FMA7A | KRA566E | BCW60ALT1 | FMMT3638 | OD603-50
History: FMA7A | KRA566E | BCW60ALT1 | FMMT3638 | OD603-50



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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