RN1511 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1511  📄📄 

Маркировка: XM

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT25 SC74A SMV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1511

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1511 даташит

 ..1. Size:106K  toshiba
 rn1510 rn1511.pdf pdf_icon

RN1511

RN1510,RN1511 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1510,RN1511 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN25

Другие транзисторы: RN1503, RN1504, RN1505, RN1506, RN1507, RN1508, RN1509, RN1510, TIP41C, RN1544, RN1601, RN1602, RN1603, RN1604, RN1605, RN1606, RN1607