RN2306 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RN2306
Código: YF
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SOT323 SC70 USM
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RN2306
RN2306 Datasheet (PDF)
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RN2301~RN2306 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2301,RN2302,RN2303 RN2304,RN2305,RN2306 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1301to1306 Equivalent Circuit Bias Resi
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RN2307~RN2309 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2307,RN2308,RN2309 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1307~RN1309 Equivalent Circuit Bias Resistor Values Type No.
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Liste
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