RN2306 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2306  📄📄 

Маркировка: YF

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT323 SC70 USM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2306

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2306 даташит

 ..1. Size:454K  toshiba
 rn2301 rn2302 rn2303 rn2304 rn2305 rn2306.pdf pdf_icon

RN2306

RN2301 RN2306 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2301,RN2302,RN2303 RN2304,RN2305,RN2306 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1301to1306 Equivalent Circuit Bias Resi

 9.1. Size:303K  toshiba
 rn2307 rn2308 rn2309.pdf pdf_icon

RN2306

RN2307 RN2309 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2307,RN2308,RN2309 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1307 RN1309 Equivalent Circuit Bias Resistor Values Type No.

Другие транзисторы: RN2130MFV, RN2131MFV, RN2132MFV, RN2301, RN2302, RN2303, RN2304, RN2305, 13003, RN2307, RN2308, RN2309, RN2310, RN2311, RN2312, RN2313, RN2314