RN2426 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RN2426
Código: RF
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
Paquete / Cubierta: SOT346 SC59 SMINI
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RN2426 Datasheet (PDF)
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RN2421~RN2427 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2421,RN2422,RN2423,RN2424 RN2425,RN2426,RN2427 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmAnd Driver Circuit Applications High current type (IC(MAX) = -800mA) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Low V CE (
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