RN2426 Todos los transistores

 

RN2426 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RN2426
   Código: RF
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT346 SC59 SMINI
 

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RN2426 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:159K  toshiba
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RN2426

RN2421~RN2427 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2421,RN2422,RN2423,RN2424 RN2425,RN2426,RN2427 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmAnd Driver Circuit Applications High current type (IC(MAX) = -800mA) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Low V CE (

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History: 2SC1364 | MG100H2DL1 | 2SB1040 | BUD600 | CH3904WGP | BCW93B | BUD48AI

 

 
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