RN2506 Todos los transistores

 

RN2506 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RN2506
   Código: YF
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT25 SC74A SMV

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RN2506 Datasheet (PDF)

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RN2506

RN2501 RN2506 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2501,RN2502,RN2503 RN2504,RN2505,RN2506 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process

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RN2506

RN2507 RN2509 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2507,RN2508,RN2509 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit in mm And Driver Circuit Applications Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to

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History: TI803 | KT8229A

 

 
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