RN2506 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RN2506
Código: YF
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SOT25 SC74A SMV
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RN2506
RN2506 Datasheet (PDF)
rn2501-rn2506.pdf
RN2501~RN2506 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2501,RN2502,RN2503 RN2504,RN2505,RN2506 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process
rn2507-rn2509.pdf
RN2507~RN2509 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2507,RN2508,RN2509 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit in mmAnd Driver Circuit Applications Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to
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Liste
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