RN2508 Todos los transistores

 

RN2508 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RN2508
   Código: YI
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT25 SC74A SMV
 

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RN2508 Datasheet (PDF)

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RN2508

RN2501~RN2506 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2501,RN2502,RN2503 RN2504,RN2505,RN2506 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process

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RN2508

RN2507~RN2509 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2507,RN2508,RN2509 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit in mmAnd Driver Circuit Applications Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to

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History: MGT108G | LMUN2131LT1G | D39J1-3 | TN4403

 

 
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