RN49J2CT Todos los transistores

 

RN49J2CT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RN49J2CT
   Código: X1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.14 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: CST6
 

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RN49J2CT datasheet

 ..1. Size:262K  toshiba
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RN49J2CT

RN49J2CT PNP NPN (PCT ) ( ) RN49J2CT mm 1.0 0.05 0.15 0.03 (CST6) 2

 8.1. Size:168K  toshiba
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RN49J2CT

RN49J2FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN49J2FS Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 1.0 0.05 Interface Circuit Applications 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Driver Circuit Applications 1 6 5 2 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) package. 4

 8.2. Size:198K  toshiba
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RN49J2CT

RN49J2AFS PNP NPN (PCT ) ( ) RN49J2AFS mm 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 1 6 (6 )

 9.1. Size:130K  toshiba
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RN49J2CT

RN49J7FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN49J7FS Unit mm Switching Applications 1.0 0.05 Inverter Circuit Applications 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Interface Circuit Applications 1 6 Driver Circuit Applications 5 2 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) 4 3 packag

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