RN49P1CT . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RN49P1CT
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.14 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: CST6
Búsqueda de reemplazo de RN49P1CT
RN49P1CT Datasheet (PDF)
rn49p1fs.pdf

RN49P1FS TOSHIBA Transistor Silicon NPNPNP Epitaxial Type Preliminary (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN49P1FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Unit: mmCircuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.05 0.10.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, Small-Mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias
Otros transistores... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
History: BSC1015A | MQ2218A | D33D2 | BDY76E | 2SC1213A
History: BSC1015A | MQ2218A | D33D2 | BDY76E | 2SC1213A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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