RN49P1CT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RN49P1CT  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.14 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: CST6

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de RN49P1CT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RN49P1CT datasheet

 8.1. Size:148K  toshiba
 rn49p1fs.pdf pdf_icon

RN49P1CT

RN49P1FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN PNP Epitaxial Type Preliminary (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN49P1FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Unit mm Circuit Applications 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, Small-Mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias

Otros transistores... RN49A2, RN49A4FE, RN49A5, RN49A6FS, RN49J2AFS, RN49J2CT, RN49J2FS, RN49J7FS, 13009, RN49P1FS, 2SA1327A, 2SA1451A, 2SA1452A, 2SA1869, 2SA1887, 2SA1891, 2SA1892