2SA1925 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1925
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 400 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 35 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 18 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
Paquete / Cubierta: TPS
- Selección de transistores por parámetros
2SA1925 Datasheet (PDF)
2sa1923.pdf

2SA1923 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA1923 High Voltage Switching Applications Unit: mm High voltage: VCEO = -400 V Low saturation voltage: V = -1 V (max) CE (sat)(I = -100 mA, I = -10 mA) C BMaximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -400 VCollector-emitter voltage VCEO -400 VEmitter-b
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2N2907AC3C | NESG2021M05 | MMUN2113
History: 2N2907AC3C | NESG2021M05 | MMUN2113



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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