2SA1926 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA1926  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 45 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 150

Encapsulados: MSTM

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2SA1926 datasheet

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2SA1926

2SA1923 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA1923 High Voltage Switching Applications Unit mm High voltage VCEO = -400 V Low saturation voltage V = -1 V (max) CE (sat) (I = -100 mA, I = -10 mA) C B Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -400 V Collector-emitter voltage VCEO -400 V Emitter-b

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