2SA1926 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1926  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: MSTM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1926

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1926 даташит

 ..1. Size:116K  toshiba
2sa1926.pdfpdf_icon

2SA1926

 8.1. Size:198K  toshiba
2sa1924.pdfpdf_icon

2SA1926

 8.2. Size:198K  toshiba
2sa1925.pdfpdf_icon

2SA1926

 8.3. Size:194K  toshiba
2sa1923.pdfpdf_icon

2SA1926

2SA1923 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA1923 High Voltage Switching Applications Unit mm High voltage VCEO = -400 V Low saturation voltage V = -1 V (max) CE (sat) (I = -100 mA, I = -10 mA) C B Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -400 V Collector-emitter voltage VCEO -400 V Emitter-b

Другие транзисторы: 2SA1869, 2SA1887, 2SA1891, 2SA1892, 2SA1905, 2SA1923, 2SA1924, 2SA1925, 2N2222A, 2SA1930, 2SA1931, 2SA1932, 2SA1933, 2SA1934, 2SA1937, 2SA1939, 2SA1940