2SA1972 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA1972

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 35 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 18 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 140

Encapsulados: LSTM

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2SA1972 datasheet

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2SA1972

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2SA1972

Ordering number ENN5613 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1973/2SC5310 DC/DC Converter Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes. unit mm Large current capacitance. 2018B Low collector-to-emitter saturation voltage. [2SA1973/2SC5310] High-speed switching. 0.4 Ultrasmall package facilitates miniaturization in end 0.16

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2SA1972

DATA SHEET PRELIMINARY DATA SHEET Silicon Transistor 2SA1978 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER FEATURES PACKAGE DIMENSIONS High f (in milimeters) T _ 2.8+0.2 f = 5.5 GHz TYP. T +0.1 S 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V = -10 V, I = -15 mA 1.5 0.65 0.15 21e CE C High speed switching characteristics Equivalent NPN transistor is the 2SC2

Otros transistores... 2SA1934, 2SA1937, 2SA1939, 2SA1940, 2SA1941, 2SA1942, 2SA1962, 2SA1971, TIP127, 2SA1986, 2SA1987, 2SA2034, 2SA2056, 2SA2058, 2SA2059, 2SA2060, 2SA2061