2SA1972. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1972

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: LSTM

 Аналоги (замена) для 2SA1972

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1972 даташит

 ..1. Size:191K  toshiba
2sa1972.pdfpdf_icon

2SA1972

 8.1. Size:194K  toshiba
2sa1971.pdfpdf_icon

2SA1972

 8.2. Size:44K  sanyo
2sa1973 2sc5310.pdfpdf_icon

2SA1972

Ordering number ENN5613 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1973/2SC5310 DC/DC Converter Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes. unit mm Large current capacitance. 2018B Low collector-to-emitter saturation voltage. [2SA1973/2SC5310] High-speed switching. 0.4 Ultrasmall package facilitates miniaturization in end 0.16

 8.3. Size:60K  nec
2sa1978.pdfpdf_icon

2SA1972

DATA SHEET PRELIMINARY DATA SHEET Silicon Transistor 2SA1978 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER FEATURES PACKAGE DIMENSIONS High f (in milimeters) T _ 2.8+0.2 f = 5.5 GHz TYP. T +0.1 S 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V = -10 V, I = -15 mA 1.5 0.65 0.15 21e CE C High speed switching characteristics Equivalent NPN transistor is the 2SC2

Другие транзисторы: 2SA1934, 2SA1937, 2SA1939, 2SA1940, 2SA1941, 2SA1942, 2SA1962, 2SA1971, TIP127, 2SA1986, 2SA1987, 2SA2034, 2SA2056, 2SA2058, 2SA2059, 2SA2060, 2SA2061