Справочник транзисторов. 2SA1972

 

Биполярный транзистор 2SA1972 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1972
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: LSTM
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1972 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  toshiba
2sa1972.pdfpdf_icon

2SA1972

 8.1. Size:194K  toshiba
2sa1971.pdfpdf_icon

2SA1972

 8.2. Size:44K  sanyo
2sa1973 2sc5310.pdfpdf_icon

2SA1972

Ordering number:ENN5613PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1973/2SC5310DC/DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes.unit:mm Large current capacitance.2018B Low collector-to-emitter saturation voltage.[2SA1973/2SC5310] High-speed switching.0.4 Ultrasmall package facilitates miniaturization in end 0.16

 8.3. Size:60K  nec
2sa1978.pdfpdf_icon

2SA1972

DATA SHEETPRELIMINARY DATA SHEETSilicon Transistor2SA1978PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORMICROWAVE AMPLIFIERFEATURES PACKAGE DIMENSIONSHigh f (in milimeters)T_2.8+0.2f = 5.5 GHz TYP.T+0.1| S | 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V = -10 V, I = -15 mA 1.5 0.65 0.1521e CE CHigh speed switching characteristicsEquivalent NPN transistor is the 2SC2

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC2257A | BC337A-16 | TV37

 

 
Back to Top

 


 
.