Справочник транзисторов. 2SA1972

 

Биполярный транзистор 2SA1972 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1972
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: LSTM
 

 Аналог (замена) для 2SA1972

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1972 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  toshiba
2sa1972.pdfpdf_icon

2SA1972

 8.1. Size:194K  toshiba
2sa1971.pdfpdf_icon

2SA1972

 8.2. Size:44K  sanyo
2sa1973 2sc5310.pdfpdf_icon

2SA1972

Ordering number:ENN5613PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1973/2SC5310DC/DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes.unit:mm Large current capacitance.2018B Low collector-to-emitter saturation voltage.[2SA1973/2SC5310] High-speed switching.0.4 Ultrasmall package facilitates miniaturization in end 0.16

 8.3. Size:60K  nec
2sa1978.pdfpdf_icon

2SA1972

DATA SHEETPRELIMINARY DATA SHEETSilicon Transistor2SA1978PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORMICROWAVE AMPLIFIERFEATURES PACKAGE DIMENSIONSHigh f (in milimeters)T_2.8+0.2f = 5.5 GHz TYP.T+0.1| S | 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V = -10 V, I = -15 mA 1.5 0.65 0.1521e CE CHigh speed switching characteristicsEquivalent NPN transistor is the 2SC2

Другие транзисторы... 2SA1934 , 2SA1937 , 2SA1939 , 2SA1940 , 2SA1941 , 2SA1942 , 2SA1962 , 2SA1971 , 2SC945 , 2SA1986 , 2SA1987 , 2SA2034 , 2SA2056 , 2SA2058 , 2SA2059 , 2SA2060 , 2SA2061 .

History: GMJ3055 | 2SC2073A | BC737-10

 

 
Back to Top

 


 
.