2N1175B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N1175B
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 0.3 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 70 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO5
     - Selección de transistores por parámetros