2N1175B Todos los transistores

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2N1175B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N1175B

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 0.3 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 70 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 70

Empaquetado / Estuche: TO5

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N1175B

 

2N1175B Datasheet (PDF)

5.1. 2n1178.pdf Size:212K _rca

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5.2. 2n1179.pdf Size:232K _rca

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5.3. 2n1177.pdf Size:392K _rca

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5.4. 2n1170.pdf Size:206K _rca

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