2N1175B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1175B

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N1175B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1175B даташит

 9.1. Size:392K  rca
2n1177.pdfpdf_icon

2N1175B

 9.2. Size:232K  rca
2n1179.pdfpdf_icon

2N1175B

 9.3. Size:212K  rca
2n1178.pdfpdf_icon

2N1175B

 9.4. Size:206K  rca
2n1170.pdfpdf_icon

2N1175B

Другие транзисторы: 2N117, 2N1170, 2N1171, 2N1172, 2N1173, 2N1174, 2N1175, 2N1175A, S8050, 2N1176, 2N1176A, 2N1176B, 2N1177, 2N1178, 2N1179, 2N118, 2N1180