2N5796 Todos los transistores

 

2N5796 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5796
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO77
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N5796 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:243K  optek
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2N5796

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N5796USeptember 1996Surface Mount Dual PNP TransistorType JANTX, JANTXV, 2N5796U.058 (1.47)Features Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted)Collector-Emitter Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 VCeramic surface mount packageCollector-Base Voltage . . . . . . . .

 0.2. Size:123K  microsemi
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2N5796

TECHNICAL DATAPNP DUAL SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/496 Devices Qualified LevelJAN 2N5796 2N5795 JANTX 2N5796U JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value UnitsCollector-Emitter Voltage 60 VdcVCEO Collector-Base Voltage 60 VdcVCBO Emitter-Base Voltage 5.0 VdcVEBO TO-78* Collector Current 600 mAdcIC Both(2) One(1) Section Sections

 9.2. Size:67K  central
2n5793 2n5794.pdf pdf_icon

2N5796

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

Otros transistores... 2N5784SM , 2N5785 , 2N5785SM , 2N5786 , 2N579 , 2N5793 , 2N5794 , 2N5795 , 2SD1555 , 2N580 , 2N5804 , 2N5805 , 2N581 , 2N5810 , 2N5811 , 2N5812 , 2N5813 .

History: 3CG953 | BDW25-4 | 2SC2923 | 2SA922-2 | BC807K-16 | 2N1683

 

 
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