Справочник транзисторов. 2N5796

 

Биполярный транзистор 2N5796 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5796
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO77
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N5796 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:243K  optek
2n5796u.pdfpdf_icon

2N5796

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N5796USeptember 1996Surface Mount Dual PNP TransistorType JANTX, JANTXV, 2N5796U.058 (1.47)Features Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted)Collector-Emitter Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 VCeramic surface mount packageCollector-Base Voltage . . . . . . . .

 0.2. Size:123K  microsemi
2n5796u.pdfpdf_icon

2N5796

TECHNICAL DATAPNP DUAL SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/496 Devices Qualified LevelJAN 2N5796 2N5795 JANTX 2N5796U JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value UnitsCollector-Emitter Voltage 60 VdcVCEO Collector-Base Voltage 60 VdcVCBO Emitter-Base Voltage 5.0 VdcVEBO TO-78* Collector Current 600 mAdcIC Both(2) One(1) Section Sections

 9.2. Size:67K  central
2n5793 2n5794.pdfpdf_icon

2N5796

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

Другие транзисторы... 2N5784SM , 2N5785 , 2N5785SM , 2N5786 , 2N579 , 2N5793 , 2N5794 , 2N5795 , 2SD1555 , 2N580 , 2N5804 , 2N5805 , 2N581 , 2N5810 , 2N5811 , 2N5812 , 2N5813 .

History: 2N1215 | 2N1389 | ME0401 | BC183K | BC183LC | BC183CP | 2N5606

 

 
Back to Top

 


 
.