2SC6075 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC6075  📄📄 

Código: C6075

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 160 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 14 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 180

Encapsulados: TPS

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2SC6075 datasheet

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2SC6075

2SC6075 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6075 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low collector emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.5 V (max) IC = 1A High-speed switching tstg = 0.4 s (typ) www.DataSheet4U.com Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 160

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2SC6075

2SC6077 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6077 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low collector saturation voltage VCE (sat) = 0.5 V (max) IC = 1A High-speed switching tstg = 0.4 s (typ) www.DataSheet4U.com Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-ba

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2SC6075

2SC6076 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6076 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low collector saturation voltage VCE (sat) = 0.5 V (max) ( IC = 1A) High-speed switching tstg = 0.4 s (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 160 V Collector-emitt

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