MT3S35FS Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MT3S35FS
Código: 20
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 8 V
Tensión colector-emisor (Vce): 4.5 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.024 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 20000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.3 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 70
Encapsulados: FSM
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MT3S35FS datasheet
mt3s35fs.pdf
MT3S35FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S35FS VCO Oscillator Stage Unit mm UHF Low-Noise Amplifier Application 1.0 0.05 0.8 0.05 Features Low Noise Figure NF = 1.4 dB (@ f = 2 GHz) 1 High Gain S21e 2 = 13.0 dB (@ f = 2 GHz) 3 2 0.1 0.05 0.1 0.05 Marking 2 3 2 0 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1.BASE Characte
mt3s37fs.pdf
MT3S37FS TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE MT3S37FS VCO OSCILLETOR STAGE Unit mm UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION 1.0 0.05 0.8 0.05 FEATURES Low Noise Figure NF=1.2dB (@f=2GHz) High Gain S21e 2=12.0dB (@f=2GHz) 1 3 2 0.1 0.05 0.1 0.05 Marking 2 3 2 2 1 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit 1.BAS
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History: HA7732 | 2SC2011 | WTM649A
History: HA7732 | 2SC2011 | WTM649A
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