Справочник транзисторов. MT3S35FS

 

Биполярный транзистор MT3S35FS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MT3S35FS
   Маркировка: 20
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.024 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: FSM
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MT3S35FS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  toshiba
 mt3s35fs.pdf pdf_icon

MT3S35FS

MT3S35FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S35FS VCO Oscillator Stage Unit: mmUHF Low-Noise Amplifier Application 1.00.050.80.05Features Low Noise Figure: NF = 1.4 dB (@ f = 2 GHz) 1 High Gain: |S21e|2 = 13.0 dB (@ f = 2 GHz) 32 0.10.05 0.10.05Marking 23 2 0 1Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 1.BASE Characte

 9.1. Size:122K  toshiba
 mt3s37fs.pdf pdf_icon

MT3S35FS

MT3S37FS TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE MT3S37FS VCO OSCILLETOR STAGE Unit:mmUHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION 1.00.050.80.05FEATURES Low Noise Figure :NF=1.2dB (@f=2GHz) High Gain:|S21e|2=12.0dB (@f=2GHz) 1 32 0.10.05 0.10.05Marking 23 2 2 1Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating Unit 1.BAS

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: MMBT1616 | HSE401 | HA06 | 2SD2051 | FC1404 | CDB550 | 2SA1427O

 

 
Back to Top

 


 
.