MT3S35FS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MT3S35FS  📄📄 

Маркировка: 20

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.024 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: FSM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MT3S35FS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT3S35FS даташит

 ..1. Size:130K  toshiba
 mt3s35fs.pdf pdf_icon

MT3S35FS

MT3S35FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S35FS VCO Oscillator Stage Unit mm UHF Low-Noise Amplifier Application 1.0 0.05 0.8 0.05 Features Low Noise Figure NF = 1.4 dB (@ f = 2 GHz) 1 High Gain S21e 2 = 13.0 dB (@ f = 2 GHz) 3 2 0.1 0.05 0.1 0.05 Marking 2 3 2 0 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1.BASE Characte

 9.1. Size:122K  toshiba
 mt3s37fs.pdf pdf_icon

MT3S35FS

MT3S37FS TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE MT3S37FS VCO OSCILLETOR STAGE Unit mm UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION 1.0 0.05 0.8 0.05 FEATURES Low Noise Figure NF=1.2dB (@f=2GHz) High Gain S21e 2=12.0dB (@f=2GHz) 1 3 2 0.1 0.05 0.1 0.05 Marking 2 3 2 2 1 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit 1.BAS

Другие транзисторы: MT3S19, MT3S19R, MT3S19TU, MT3S20P, MT3S20R, MT3S20TU, MT3S21P, MT3S22P, B772, MT3S37FS, MT3S41FS, MT4S03A, MT4S03AU, MT4S03BU, MT4S06U, MT4S23U, MT4S24U