Биполярный транзистор MT3S35FS - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MT3S35FS
Маркировка: 20
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.024 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: FSM
MT3S35FS Datasheet (PDF)
mt3s35fs.pdf
MT3S35FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S35FS VCO Oscillator Stage Unit: mmUHF Low-Noise Amplifier Application 1.00.050.80.05Features Low Noise Figure: NF = 1.4 dB (@ f = 2 GHz) 1 High Gain: |S21e|2 = 13.0 dB (@ f = 2 GHz) 32 0.10.05 0.10.05Marking 23 2 0 1Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 1.BASE Characte
mt3s37fs.pdf
MT3S37FS TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE MT3S37FS VCO OSCILLETOR STAGE Unit:mmUHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION 1.00.050.80.05FEATURES Low Noise Figure :NF=1.2dB (@f=2GHz) High Gain:|S21e|2=12.0dB (@f=2GHz) 1 32 0.10.05 0.10.05Marking 23 2 2 1Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating Unit 1.BAS
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050