MT3S37FS Todos los transistores

 

MT3S37FS . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MT3S37FS
   Código: 22
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 8 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 4.5 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 19000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.49 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: FSM

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MT3S37FS Datasheet (PDF)

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MT3S37FS

MT3S37FS TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE MT3S37FS VCO OSCILLETOR STAGE Unit mm UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION 1.0 0.05 0.8 0.05 FEATURES Low Noise Figure NF=1.2dB (@f=2GHz) High Gain S21e 2=12.0dB (@f=2GHz) 1 3 2 0.1 0.05 0.1 0.05 Marking 2 3 2 2 1 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit 1.BAS

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MT3S37FS

MT3S35FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S35FS VCO Oscillator Stage Unit mm UHF Low-Noise Amplifier Application 1.0 0.05 0.8 0.05 Features Low Noise Figure NF = 1.4 dB (@ f = 2 GHz) 1 High Gain S21e 2 = 13.0 dB (@ f = 2 GHz) 3 2 0.1 0.05 0.1 0.05 Marking 2 3 2 0 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1.BASE Characte

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History: BUT22A

 

 
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