Справочник транзисторов. MT3S37FS

 

Биполярный транзистор MT3S37FS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MT3S37FS
   Маркировка: 22
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 19000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.49 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: FSM
 

 Аналог (замена) для MT3S37FS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT3S37FS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  toshiba
 mt3s37fs.pdf pdf_icon

MT3S37FS

MT3S37FS TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE MT3S37FS VCO OSCILLETOR STAGE Unit:mmUHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION 1.00.050.80.05FEATURES Low Noise Figure :NF=1.2dB (@f=2GHz) High Gain:|S21e|2=12.0dB (@f=2GHz) 1 32 0.10.05 0.10.05Marking 23 2 2 1Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating Unit 1.BAS

 9.1. Size:130K  toshiba
 mt3s35fs.pdf pdf_icon

MT3S37FS

MT3S35FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S35FS VCO Oscillator Stage Unit: mmUHF Low-Noise Amplifier Application 1.00.050.80.05Features Low Noise Figure: NF = 1.4 dB (@ f = 2 GHz) 1 High Gain: |S21e|2 = 13.0 dB (@ f = 2 GHz) 32 0.10.05 0.10.05Marking 23 2 0 1Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 1.BASE Characte

Другие транзисторы... MT3S19R , MT3S19TU , MT3S20P , MT3S20R , MT3S20TU , MT3S21P , MT3S22P , MT3S35FS , BC546 , MT3S41FS , MT4S03A , MT4S03AU , MT4S03BU , MT4S06U , MT4S23U , MT4S24U , 2SB1015A .

 

 
Back to Top

 


 
.