MT3S41FS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MT3S41FS 📄📄
Código: 26
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 8 V
Tensión colector-emisor (Vce): 4.5 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.08 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 15000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.72 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 70
Encapsulados: FSM
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MT3S41FS datasheet
mt3s41fs.pdf
www.DataSheet4U.com MT3S41FS TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE MT3S41FS VCO OSCILLETOR STAGE Unit mm UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION 1.0 0.05 0.8 0.05 FEATURES Low Noise Figure NF=1.2dB (@f=2GHz) High Gain S21e 2=10.0dB (@f=2GHz) 1 3 2 0.1 0.05 0.1 0.05 Marking 2 3 2 6 1 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Sym
Otros transistores... MT3S19TU, MT3S20P, MT3S20R, MT3S20TU, MT3S21P, MT3S22P, MT3S35FS, MT3S37FS, BC546, MT4S03A, MT4S03AU, MT4S03BU, MT4S06U, MT4S23U, MT4S24U, 2SB1015A, 2SB1016A
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: NST847BF3T5G | 2N6347 | BUS22A
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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