MT3S41FS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MT3S41FS  📄📄 

Маркировка: 26

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.72 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: FSM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MT3S41FS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT3S41FS даташит

 ..1. Size:150K  toshiba
 mt3s41fs.pdf pdf_icon

MT3S41FS

www.DataSheet4U.com MT3S41FS TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE MT3S41FS VCO OSCILLETOR STAGE Unit mm UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION 1.0 0.05 0.8 0.05 FEATURES Low Noise Figure NF=1.2dB (@f=2GHz) High Gain S21e 2=10.0dB (@f=2GHz) 1 3 2 0.1 0.05 0.1 0.05 Marking 2 3 2 6 1 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Sym

Другие транзисторы: MT3S19TU, MT3S20P, MT3S20R, MT3S20TU, MT3S21P, MT3S22P, MT3S35FS, MT3S37FS, BC546, MT4S03A, MT4S03AU, MT4S03BU, MT4S06U, MT4S23U, MT4S24U, 2SB1015A, 2SB1016A