MT4S03BU Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MT4S03BU
Código: MR
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.175 W
Tensión colector-base (Vcb): 10 V
Tensión colector-emisor (Vce): 5 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 12000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: USQ
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MT4S03BU datasheet
mt4s03bu.pdf
MT4S03BU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S03BU Unit mm VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Low Noise Figure NF = 1.6dB (Typ.) (@f = 2GHz) High Gain S21e 2 = 9dB (Typ.) (@f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1.Emitter1(E1) 2.Collector(C) Characteristic Symbol Unit Rating 3.Emitter2(E2) 4.Base(B) Collector-base
mt4s03a.pdf
MT4S03A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S03A VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain Gain = 9dB (f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 10 V Collector-emitter voltage VCEO 5 V Emitter-base voltage VEBO 2 V
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