MT4S03BU Todos los transistores

 

MT4S03BU . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MT4S03BU
   Código: MR
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.175 W
   Tensión colector-base (Vcb): 10 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 5 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 12000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: USQ
 

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MT4S03BU Datasheet (PDF)

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MT4S03BU

MT4S03BU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S03BU Unit: mmVHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Low Noise Figure: NF = 1.6dB (Typ.) (@f = 2GHz) High Gain: |S21e|2 = 9dB (Typ.) (@f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 1.Emitter1(E1) 2.Collector(C) Characteristic Symbol Unit Rating 3.Emitter2(E2) 4.Base(B) Collector-base

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MT4S03BU

 8.2. Size:102K  toshiba
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MT4S03BU

MT4S03A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S03A VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain: Gain = 9dB (f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 10 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmitter-base voltage VEBO 2 V

 9.1. Size:110K  toshiba
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MT4S03BU

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History: JE9092 | TIP107

 

 
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