Справочник транзисторов. MT4S03BU

 

Биполярный транзистор MT4S03BU Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MT4S03BU
   Маркировка: MR
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: USQ
 

 Аналог (замена) для MT4S03BU

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT4S03BU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  toshiba
 mt4s03bu.pdf pdf_icon

MT4S03BU

MT4S03BU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S03BU Unit: mmVHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Low Noise Figure: NF = 1.6dB (Typ.) (@f = 2GHz) High Gain: |S21e|2 = 9dB (Typ.) (@f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 1.Emitter1(E1) 2.Collector(C) Characteristic Symbol Unit Rating 3.Emitter2(E2) 4.Base(B) Collector-base

 8.1. Size:102K  toshiba
 mt4s03au.pdf pdf_icon

MT4S03BU

 8.2. Size:102K  toshiba
 mt4s03a.pdf pdf_icon

MT4S03BU

MT4S03A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S03A VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain: Gain = 9dB (f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 10 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmitter-base voltage VEBO 2 V

 9.1. Size:110K  toshiba
 mt4s06u.pdf pdf_icon

MT4S03BU

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MT3S20TU , MT3S21P , MT3S22P , MT3S35FS , MT3S37FS , MT3S41FS , MT4S03A , MT4S03AU , TIP31 , MT4S06U , MT4S23U , MT4S24U , 2SB1015A , 2SB1016A , 2SB1018A , 2SB1020A , 2SB1594 .

History: OC304-2 | 2SC4324

 

 
Back to Top

 


 
.