MT4S24U Todos los transistores

 

MT4S24U . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MT4S24U
   Código: R8
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.175 W
   Tensión colector-base (Vcb): 10 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 5 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 14500 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: USQ

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MT4S24U Datasheet (PDF)

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MT4S24U

MT4S24U TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S24U Unit mm VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Low Noise Figure NF = 1.55dB(Typ.) (@f = 2GHz) High Gain S21e 2 = 11.5dB(Typ.) (@f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1.Emitter1(E1) 2.Collector(C) Characteristic Symbol Unit Rating 3.Emitter2(E2) 4.Base(B) USQ Collector

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MT4S24U

MT4S23U TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S23U Unit mm VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Low Noise Figure NF = 1.4dB (Typ.) (@f = 2 GHz) High Gain S21e 2 = 12dB (Typ.) (@f = 2 GHz) Compatible with 2SC5319 1.Emitter1(E1) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 2.Collector(C) 3.Emitter2(E2) 4.Base(B) Characteristic Symbol Ra

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History: UN6113 | 2SC2949 | KT828B | MMUN2235LT1G

 

 
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