2SB1016A Todos los transistores

 

2SB1016A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB1016A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 270 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO220NIS

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2SB1016A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  toshiba
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2SB1016A

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2SB1016A

 7.2. Size:213K  jmnic
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2SB1016A

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1016 DESCRIPTION With TO-220Fa package High breakdown voltage Low collector saturation voltage Complement to type 2SD1407 APPLICATIONS Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Co

 7.3. Size:217K  inchange semiconductor
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2SB1016A

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1016 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -2.0 V(Max)@I = -4A CE(sat) C Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD1407 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

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History: KTX215E | NB211EH | MT4104 | NB212FH | AC508 | RN2504 | DDTA143FKA

 

 
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