2SB1016A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB1016A  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 270 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO220NIS

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2SB1016A datasheet

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2SB1016A

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2SB1016A

 7.2. Size:213K  jmnic
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2SB1016A

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1016 DESCRIPTION With TO-220Fa package High breakdown voltage Low collector saturation voltage Complement to type 2SD1407 APPLICATIONS Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Co

 7.3. Size:217K  inchange semiconductor
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2SB1016A

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1016 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -2.0 V(Max)@I = -4A CE(sat) C Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD1407 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

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