2SB1018A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB1018A
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 10 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 70
Encapsulados: DP
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2SB1018A datasheet
2sb1018a.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1018A DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.5V(Max)@I = -4A CE(sat) C High Current Capability- I = -7A C Complement to Type 2SD1411A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High current switching applications. Power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATING
2sb1018.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1018 DESCRIPTION With TO-220F package High collector current Low collector saturation voltage Complement to type 2SD1411 APPLICATIONS Power amplifier applications High current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol 3 Base
Otros transistores... MT4S03A , MT4S03AU , MT4S03BU , MT4S06U , MT4S23U , MT4S24U , 2SB1015A , 2SB1016A , 2SC2625 , 2SB1020A , 2SB1594 , 2SB1617 , 2SB1640 , 2SB1641 , 2SB1642 , 2SB1667SM , 2SB1682 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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