2SB1018A - описание и поиск аналогов

 

2SB1018A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1018A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: DP

 Аналоги (замена) для 2SB1018A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1018A даташит

 ..1. Size:233K  toshiba
 2sb1018a.pdf pdf_icon

2SB1018A

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
 2sb1018a.pdf pdf_icon

2SB1018A

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1018A DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.5V(Max)@I = -4A CE(sat) C High Current Capability- I = -7A C Complement to Type 2SD1411A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High current switching applications. Power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 7.1. Size:199K  toshiba
 2sb1018.pdf pdf_icon

2SB1018A

 7.2. Size:208K  jmnic
 2sb1018.pdf pdf_icon

2SB1018A

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1018 DESCRIPTION With TO-220F package High collector current Low collector saturation voltage Complement to type 2SD1411 APPLICATIONS Power amplifier applications High current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol 3 Base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MT4S03A, MT4S03AU, MT4S03BU, MT4S06U, MT4S23U, MT4S24U, 2SB1015A, 2SB1016A, 2SC2625, 2SB1020A, 2SB1594, 2SB1617, 2SB1640, 2SB1641, 2SB1642, 2SB1667SM, 2SB1682

 

 

 

 

↑ Back to Top
.