Справочник транзисторов. 2SB1018A

 

Биполярный транзистор 2SB1018A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB1018A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: DP
 

 Аналог (замена) для 2SB1018A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1018A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  toshiba
 2sb1018a.pdf pdf_icon

2SB1018A

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
 2sb1018a.pdf pdf_icon

2SB1018A

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1018ADESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.5V(Max)@I = -4ACE(sat) CHigh Current Capability- I = -7ACComplement to Type 2SD1411AMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current switching applications.Power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 7.1. Size:199K  toshiba
 2sb1018.pdf pdf_icon

2SB1018A

 7.2. Size:208K  jmnic
 2sb1018.pdf pdf_icon

2SB1018A

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1018 DESCRIPTION With TO-220F package High collector current Low collector saturation voltage Complement to type 2SD1411 APPLICATIONS Power amplifier applications High current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol3 Base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: PTB20204 | SEBT8050-D | 2SC2853

 

 
Back to Top

 


 
.