HIT647 Todos los transistores

 

HIT647 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HIT647
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: TO92MOD
 

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HIT647 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:71K  renesas
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HIT647

Preliminary Datasheet R07DS0449EJ0400HIT647 (Previous: REJ03G1504-0300)Rev.4.00Silicon PNP Epitaxial Jun 14, 2011Features Low frequency power amplifier Complementary pair with HIT667 Outline RENESAS Package code: PRSS0003DC-A(Package name: TO-92 Mod)1. Emitter2. Collector3. Base321Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ratings Unit

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BCR108 | 2SC6135 | BDT29BF | 2SA937 | 2SD892 | FJNS3214R | H1300

 

 
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