2N5822 Todos los transistores

 

2N5822 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5822
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 70 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.75 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
 

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2N5822 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:47K  central
 2n5820 2n5821 2n5822 2n5823.pdf pdf_icon

2N5822

TM2N5820 2N5822 NPNCentral2N5821 2N5823 PNPSemiconductor Corp.COMPLEMENTARYSILICON TRANSISTORSDESCRIPTION:The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820 seriestypes are epoxy molded complementary siliconsmall signal transistors manufactured by theepitaxial planar process designed for generalpurpose amplifier applications where a highcollector current rating is required.MARKING COD

 9.1. Size:218K  rca
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 9.2. Size:138K  microelectronics
 2n5820-23.pdf pdf_icon

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History: MP5179 | SUR499H

 

 
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