ECH8102 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ECH8102
Código: GB
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 120 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: ECH8
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ECH8102 Datasheet (PDF)
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Ordering number : ENA1420AECH8102Bipolar Transistorhttp://onsemi.com ( )30V, 12A, Low VCE sat , PNP Single ECH8Applications High-power IGBT / MOSFET gate drivers, DC / DC converters, lamp drivers, motor driversFeatures Adoption of FBET, MBIT process High current capacitance Low collector-to-emitter saturation voltage High speed switching High
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