ECH8102 Todos los transistores

 

ECH8102 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ECH8102
   Código: GB
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 120 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: ECH8
     - Selección de transistores por parámetros

 

ECH8102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  onsemi
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ECH8102

Ordering number : ENA1420AECH8102Bipolar Transistorhttp://onsemi.com ( )30V, 12A, Low VCE sat , PNP Single ECH8Applications High-power IGBT / MOSFET gate drivers, DC / DC converters, lamp drivers, motor driversFeatures Adoption of FBET, MBIT process High current capacitance Low collector-to-emitter saturation voltage High speed switching High

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History: CMXT2207 | HA7631

 

 
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