ECH8102 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ECH8102
Código: GB
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 140 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 120 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 200
Encapsulados: ECH8
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ECH8102 datasheet
ech8102.pdf
Ordering number ENA1420A ECH8102 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 30V, 12A, Low VCE sat , PNP Single ECH8 Applications High-power IGBT / MOSFET gate drivers, DC / DC converters, lamp drivers, motor drivers Features Adoption of FBET, MBIT process High current capacitance Low collector-to-emitter saturation voltage High speed switching High
Otros transistores... 2SC6098 , 2SC6099 , CPH3101 , CPH3107 , CPH3114 , CPH3144 , CPH3212 , CPH6102 , TIP42C , F5H2101 , F5H2201 , MCH3105 , MCH3106 , MCH3109 , MCH3144 , MCH3145 , MCH3205 .
History: PNT523T503E0-2
History: PNT523T503E0-2
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