Биполярный транзистор ECH8102 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ECH8102
Маркировка: GB
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: ECH8
ECH8102 Datasheet (PDF)
..1. Size:213K onsemi
ech8102.pdf
ech8102.pdf
Ordering number : ENA1420AECH8102Bipolar Transistorhttp://onsemi.com ( )30V, 12A, Low VCE sat , PNP Single ECH8Applications High-power IGBT / MOSFET gate drivers, DC / DC converters, lamp drivers, motor driversFeatures Adoption of FBET, MBIT process High current capacitance Low collector-to-emitter saturation voltage High speed switching High
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050