F5H2101 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F5H2101
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 140 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 215 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 150
Encapsulados: TO220FI5H
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F5H2101 datasheet
f5h2101.pdf
Ordering number ENA0725 F5H2101 SANYO Semiconductors DATA SHEET PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor F5H2101 High-Current Switching Applications Applications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers. Features Adoption of MBIT processes. Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. The F5H2101 consists o
Otros transistores... 2SC6099 , CPH3101 , CPH3107 , CPH3114 , CPH3144 , CPH3212 , CPH6102 , ECH8102 , 13009 , F5H2201 , MCH3105 , MCH3106 , MCH3109 , MCH3144 , MCH3145 , MCH3205 , MCH3209 .
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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