Биполярный транзистор F5H2101 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: F5H2101
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 215 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: TO220FI5H
F5H2101 Datasheet (PDF)
..1. Size:59K sanyo
f5h2101.pdf
f5h2101.pdf
Ordering number : ENA0725 F5H2101SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP Epitaxial Planar Silicon TransistorF5H2101High-Current Switching ApplicationsApplications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers.Features Adoption of MBIT processes. Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. The F5H2101 consists o
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
