2N1176B Todos los transistores

 

2N1176B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N1176B
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.3 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 90 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO5

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N1176B

 

2N1176B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:392K  rca
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 9.4. Size:206K  rca
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