Биполярный транзистор 2N1176B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N1176B
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO5

Другие транзисторы... 2N1172 , 2N1173 , 2N1174 , 2N1175 , 2N1175A , 2N1175B , 2N1176 , 2N1176A , BD140 , 2N1177 , 2N1178 , 2N1179 , 2N118 , 2N1180 , 2N1182 , 2N1183 , 2N1183A .