DTB513ZE Todos los transistores

 

DTB513ZE Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTB513ZE

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 260 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 140

Encapsulados: EMT3

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DTB513ZE datasheet

 ..1. Size:69K  rohm
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DTB513ZE

DTB513ZE / DTB513ZM Transistors -500mA / -12V Low VCE(sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTB513ZE / DTB513ZM Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTB513ZE 1.6 0.7 0.3 0.55 Feature ( ) 3 1) VCE (sat) is lower than conventional products. ( ) ( ) 2 1 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an 0.2 0.2 0.15 (1) GND

Otros transistores... DTA143ZUB , DTA144EEB , DTA144EM , DTA144EUB , DTA144WE , DTB113ZK , DTB123YK , DTB123YU , 2SC945 , DTB513ZM , DTB523YE , DTB523YM , DTB543EE , DTB543EM , DTB543XE , DTB543XM , DTB543ZE .

History: 2SC2177 | DTC043EUB | 2SC2168

 

 

 

 

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