DTB513ZE . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DTB513ZE
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 260 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: EMT3
     - Selección de transistores por parámetros