DTB513ZE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTB513ZE  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: EMT3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DTB513ZE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTB513ZE даташит

 ..1. Size:69K  rohm
 dtb513ze-zm dtb513ze.pdf pdf_icon

DTB513ZE

DTB513ZE / DTB513ZM Transistors -500mA / -12V Low VCE(sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTB513ZE / DTB513ZM Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTB513ZE 1.6 0.7 0.3 0.55 Feature ( ) 3 1) VCE (sat) is lower than conventional products. ( ) ( ) 2 1 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an 0.2 0.2 0.15 (1) GND

Другие транзисторы: DTA143ZUB, DTA144EEB, DTA144EM, DTA144EUB, DTA144WE, DTB113ZK, DTB123YK, DTB123YU, 2SC945, DTB513ZM, DTB523YE, DTB523YM, DTB543EE, DTB543EM, DTB543XE, DTB543XM, DTB543ZE