Справочник транзисторов. DTB513ZE

 

Биполярный транзистор DTB513ZE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTB513ZE
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: EMT3
 

 Аналог (замена) для DTB513ZE

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTB513ZE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  rohm
 dtb513ze-zm dtb513ze.pdf pdf_icon

DTB513ZE

DTB513ZE / DTB513ZMTransistors-500mA / -12V Low VCE(sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTB513ZE / DTB513ZM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTB513ZE1.6 0.70.3 0.55 Feature ( )31) VCE (sat) is lower than conventional products. ( ) ( )2 12) Built-in bias resistors enable the configuration of an 0.2 0.20.15(1) GND

Другие транзисторы... DTA143ZUB , DTA144EEB , DTA144EM , DTA144EUB , DTA144WE , DTB113ZK , DTB123YK , DTB123YU , 2SC2655 , DTB513ZM , DTB523YE , DTB523YM , DTB543EE , DTB543EM , DTB543XE , DTB543XM , DTB543ZE .

History: ESM259

 

 
Back to Top

 


 
.