DTB713ZE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTB713ZE  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 260 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 140

Encapsulados: EMT3

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DTB713ZE datasheet

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DTB713ZE

-200mA / -30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTB713ZE / DTB713ZM Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTB713ZE 1.6 0.7 0.55 0.3 Feature ( ) 3 1) VCE (sat) is lower than conventional products. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 an inverter circuit without connecting extern

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