DTB713ZE . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DTB713ZE
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 260 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
Paquete / Cubierta: EMT3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar DTB713ZE
DTB713ZE Datasheet (PDF)
dtb713z dtb713ze.pdf
-200mA / -30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTB713ZE / DTB713ZM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTB713ZE1.6 0.7 0.550.3 Feature ( )31) VCE (sat) is lower than conventional products. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of ( ) ( )2 10.2 0.2an inverter circuit without connecting extern
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050