DTB713ZE Todos los transistores

 

DTB713ZE . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTB713ZE
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 260 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: EMT3
 

 Búsqueda de reemplazo de DTB713ZE

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DTB713ZE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  rohm
 dtb713z dtb713ze.pdf pdf_icon

DTB713ZE

-200mA / -30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTB713ZE / DTB713ZM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTB713ZE1.6 0.7 0.550.3 Feature ( )31) VCE (sat) is lower than conventional products. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of ( ) ( )2 10.2 0.2an inverter circuit without connecting extern

Otros transistores... DTB523YE , DTB523YM , DTB543EE , DTB543EM , DTB543XE , DTB543XM , DTB543ZE , DTB543ZM , 2SC2383Y , DTB713ZM , DTB723YE , DTB723YM , DTB743EE , DTB743EM , DTB743XE , DTB743XM , DTB743ZE .

History: DRC2124T | UN1214

 

 
Back to Top

 


 
.