DTC114EEB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTC114EEB  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 40 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SC-89 EMT3F SOT416FL

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Transistors DTC114EEB 100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTC114EEB Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver EMT3F 1.6 0.7 Features 0.26 1) Built-in bias resistors enable the configuration of (3) an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin-f

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC114EEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 31 Product specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114EEF FEATURES Power dissipation comparable to SOT23 Built-in bias resistors R1 and R2 3 handbook, halfpage (typ. 10 k each) 3 R1

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